Canon Inc. a anunțat astăzi lansarea stepper-ului FPA-3030i6 i-line 1 un nou sistem de litografie cu semiconductor pentru procesarea wafer-urilor cu un diametru de 8 inchi (200 mm) sau mai mic. FPA-3030i6 folosește o lentilă de proiecție nou dezvoltată, care se mândrește cu transmisie ridicată și durabilitate ridicată. Sistemul reduce aberația lentilelor pentru procesele cu doze mari de expunere și îmbunătățește productivitatea prin scurtarea timpului de expunere.

Lentila este realizată dintr-un material de sticlă de înaltă transmisie, care reduce aberațiile lentilelor care apar în timpul expunerii cu mai mult de 50% 2 în comparație cu modelele anterioare stepper 3 . Transmitența mai mare ajută, de asemenea, la reducerea timpului de expunere, menținând în același timp fidelitatea modelului, chiar și în condiții de doză mare de expunere. Îmbunătățirea transmitanței lentilelor va crește și intensitatea expunerii și va scurta timpul de expunere necesar pentru fiecare proces. Productivitatea standard FPA-3030i6 pentru napolitane de 8 inchi (200 mm) a crescut4 la 130 de napolitane pe oră de la 123 pentru modelele anterioare cu pas. În plus, deoarece lentila este foarte durabilă, scăderea transmisiei lentilei în timp este redusă și productivitatea poate fi menținută pe toată durata de viață a sistemului. Gama NA (apertura numerică) a fost, de asemenea, extinsă de la 0,45~0,63 în modelul anterior la 0,30~0,63.

Permiterea unui NA mai mic permite clienților să selecteze NA optim pentru fiecare strat de dispozitiv. Produsele opționale, inclusiv un sistem de manipulare a plachetelor pentru substraturi speciale, sunt disponibile pentru a satisface nevoile de producție ale utilizatorilor pentru diverse dispozitive semiconductoare emergente, inclusiv dispozitive ecologice de mare putere și de înaltă eficiență. FPA-3030i6 este proiectat pentru a susține o gamă mai largă de fabricare a dispozitivelor datorită unei varietăți de opțiuni de proces disponibile pentru siliciu (Si), precum și pentru materiale semiconductoare de safir și compuse, cum ar fi carbură de siliciu (SiC), nitrură de galiu (GaN) și galiu. substraturi de arsenidă (GaAs).

Canon va oferi opțiuni de alimentare cu plachete care permit manipularea substraturilor cu diametrul de la 2 inchi (50 mm) la 8 inchi (200 mm), precum și manipularea substraturilor groase, subțiri și deformate. chipament de litografie cu semiconductori care utilizează sursa de lumină i-line (lampă cu mercur, lungime de undă 365 nm) 1 nm (nanometru) = 1/1 miliard de metru În condițiile standard de expunere Canon FPA-3030i5a (lansat în martie 2021) Vafer de 8 inchi (200 mm).